Výkonové tranzistory
Obohacovací typ IGFET s kanálem N
Od počátku předpokládáme, že UDS>0. Je-li UGS=0, nemůže strukturou přes závěrně polarizovaný přechod z části polovodiče typu N (u D) do mezery P (mezi D a S) procházet proud. Začne-li se UGS zvětšovat do kladných hodnot, odpuzují se v okolí G z vrstvy P volné kladné díry a na jejich místo jsou z oblasti N přitahovány volné elektrony, které tak mezi částí N na straně D a částí N na straně S začínají vytvářet elektronový vodivý kanál. Proud začíná procházet při dosažení prahového napětí, které bývá podle typu 0,25 až 5 V. S dalším nárůstem UGS se kanál rozšiřuje a při stejném UDS umožňujě průchod většího proudu. (Protože kanál vzniká obohacováním tenké vrstvy P volnými elektrony, je tento typ tranzistoru nazýván obohacovací.)
Trochu jiný obrázek téhož:
Velmi jednoduchou úpravou struktury IGFET se získá součástka s integtovanou antiparalelní diodou.
Výkonové IGFET jsou vesměs obohacovacího typu (existují také IGFET tranzistory ochuzovacího typu) s integrovanou antiparalelní diodou.
Jednou z nejvýkonnějších variant je tzv. hexfet. U něj mají jednotlivé buňky tvar šestiúhelníka, což umožňuje jejich integrované sestavení s vysokou hustotou - až 105 buněk na cm2.
http://hrzinap.wz.cz/vyuka/X13KVE/prednes/prednes_05.pdf https://www.rfwireless-world.com/Terminology/DMOS-vs-VMOS-vs-LDMOS.html https://circuitszone.com/understanding-power-mosfet-mosfets/simplified-dmos-power-mosfet-structure/ https://electronics.stackexchange.com/questions/300902/why-mosfet-drain-is-connected-to-its-caseBipolární tranzistory s izolovaným hradlem IGBT
IGBT je integrované spojení unipolárního a bipolárního tranzistoru. Unipolární tranzistor na vstupu řídí výstupní bipolární tranzistor. To znamená, že spínání bipolární části IGBT tranzistoru je řízeno nevýkonovým napěťovým signálem a proudová a napěťová zatížitelnost je určena bipolární částí IGBT tranzistoru.
Zjednodušené vnitřní chéma:
IGBT tranzistor FZ1200R45HL3
| VCES | 4 500 V |
| ICnom | 1 200 A |
| Ptot | 15 kW |
| VCEsat při:
ICnom = 1 200 A a VGE = 15 V | 3 V |
Slovníček:
| Maximum Rated Values | Mezní hodnoty |
| Characteristic Values | Carakteristické hodnoty |
| Collector-emitter voltage | VCES |
| Total Power Dissipation | Ptot |
| Continuous DC collector current | ICnom |