JFET je tranzistor řízený elektrickým polem s přechodovým hradlem. Hradlo je izolováno od kanálu závěrně polarizovanými PN přechody.

JFET s kanálem typu N

Na obou stranách destičky tapu N jsou vytvořeny bohatě dotované oblasti typu P⁺. Obě oblasti jsou opatřeny vodivými kontakty, které jsou spojeny a dohromady tvoří řídící elektrodu G. Přechody mezi vrstvami P⁺ a kanálem N zastává funkci izolační vrstvy a elektroda G je proto musí napětím U_GE polarizovat v závěrném směru.

Elektrické pole vyvolané napětím U_GE odpuzuje elektrony z blízkosti přechodů, čímž zužuje kanál a tím snižuje jeho vodivost.

JFET s kanálem typu P

Struktura a funkce tranzistorů JFET s kanálem typu P využívá opačných typů vrstev polovodičů, opačných polarit napětí a proudů a opačný je i směr šipky na schematické značce.