Při vyšších frekvencích, při kterých je doba periody srovnatelná s dobou průletu proudových nosičů bází, nastává na vstupu změna proudu dříve, než se nosiče emitované při předchozí půlvlně dostanou do kolektoru. To se projeví zpožďováním a zmenšováním změn výstupního proudu. Zesilovací schopnost tranzistoru od určité frekvence klesá.
Protože h parametry tranzistoru jsou definovány pro nízké frekvence, definují se pro celé pásmo frekvencí zobecněné proudové zesilovací činitele α = IC/IE a β = IC/IB. (Pro nízké frekvence odpovídají příslušným h parametrům, tj. h21e a h21b.)
Závislosti α a β na frekvenci
Do určité frekvence jsou parametry α a β frekvenčně nezávislé. Dále se jejich velikost s frekvencí zmenšuje.
fα -mezní frekvence tranzistoru v zapojení SB (α=α0/√2)
fβ -mezní frekvence tranzistoru v zapojení SE (β=β0/√2)
fT -tranzitní frekvence je frekvence při níž β=1. (tj. frekvence při níž tranzistor v zapojení SE přestává zesilovat.