I. kvadrant VA charakteristiky zachycuje závislost proudu na napětí v propustném směru: Od určitého tzv. prahového napětí U_p (na vyobrazené charakteristice U_To) začne s narůstajícím napětím U_F (U_AK) napřed pozvolna a posléze prudce narůstat proud diodou I_F(I_A).

IV. kvadrant VA charakteristiky zachycuje závislost proudu na napětí v závěrném směru: V závěrném směru teče diodou až do nejvyšší přípustné hodnoty závěrného napětí U_RRM (U_BR) nepatrný, závěrný, proud I_R. Po překročení dojde k průrazu přechodu.

Prahové napětí U_P je napětí, při kterém dochází v propustném směru k průtoku významné velikosti proudu. Vyplývá z šířky zakázaného pásu, a proto je pro různé materiály různé (pro křemík Si: 0,65 V až 0,7 V; pro germanium Ge: 0,3 V; pro galiumarsenid GaAs: 1,2 V).